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TK15A60D中文资料

  • 大小:196.21KB
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  • 描述:TK15A60D 2010-08-12 1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( π-MOSⅦ) TK15A60D Switching Regulator Applications ? Low drain-source ON-resistance: R DS (ON) = 0.31 ? (typ.) ? High forward transfer admittance: |Y fs | = 8.5 S (typ.) ? Low leakage current: I DSS = 10 μA (max) (V DS = 600 V) ? Enhancement mode: V th = 2.0 to 4.0 V (V DS = 10 V, I D = 1 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V DSS 600 V Gate-source voltage V GSS ±30 V DC (Note 1) I D 15 Drain current Pulse (Note 1) I DP 60 A Drain power dissipation (Tc = 25°C) P D 50 W Single pulse avalanche energy (Note 2) E AS 527 mJ Avalanche current I AR 15 A Repetitive avalanche energy (Note 3) E AR 5.0 mJ Channel temperature T ch 150 °C Storage temperature range T stg ?55 to 150 °C Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant

TK15A60D供应商

更新时间:2022-12-31 18:46:09
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    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号:

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    2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • 15

  • TOSHIBA

  • TO220F/12+

  • 原装现货 支持实单

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